海思半导体Hisilicon海思芯片全系列-亿配芯城-Nisshinbo NJG1187KG1-TE3
Nisshinbo NJG1187KG1-TE3
发布日期:2024-01-10 16:31     点击次数:164

NJG1187KG1-TE3

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编号:

513-NJG1187KG1-TE3

制造商编号:

NJG1187KG1-TE3

制造商:

Nisshinbo

Nisshinbo

客户编号:

说明:

射频放大器 GNSS High Gain LNA 1.5 to 3.7V 8mA 3.3V

数据表:

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1 ¥13.3453 ¥13.35 10 ¥12.0458 ¥120.46 100 ¥9.6841 ¥968.41 250 ¥9.1078 ¥2,276.95 500 ¥7.9213 ¥3,960.65 1,000 ¥6.554 ¥6,554.00 整卷卷轴(请按3000的倍数订购) 3,000 ¥6.2263 ¥18,678.90 6,000 ¥6.0003 ¥36,001.80

× 包装选择

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剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。


eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。


完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴,请按3000的倍数订购。


卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。


卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

特色产品

NISSHINBO MICRO DEVICES

规格

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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Nisshinbo Micro Devices 产品种类: 射频放大器 RoHS:  详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-6 类型: Low Noise Amplifiers 技术: GaAs 工作频率: 1.164 GHz to 1.61 GHz P1dB - 压缩点: 13 dBm 增益: 34 dB 工作电源电压: 1.5 V to 3.7 V NF—噪声系数: 0.6 dB OIP3 - 三阶截点: 17 dBm 工作电源电流: 8 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 105 C 系列: NJG11 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: Nisshinbo 产品类型: RF Amplifier 工厂包装数量: 工厂包装数量: 3000 子类别: Wireless & RF Integrated Circuits 测试频率: 1.575 GHz

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工厂包装数量 ×

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以“工厂包装数量”的倍数订购对于我们的批量生产客户来说最有效。

在大部分情况下,非常乐意拆分“工厂包装数量”。 (请参见最低订货量和倍数以确认订购要求)

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产品合规性

CNHTS: 8542339000 USHTS: 8542330001 TARIC: 8542330000 ECCN: EAR99

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NJG1187KG1高增益低噪声放大器

Nisshinbo NJG1187KG1高增益低噪声放大器 (LNA) 设计用于GNSS应用。NJG1187KG1 LNA可通过更改外部元器件的值,用于L1 (1.5GHz) 和L2/L5lL6(1.1GHz至1.2GHz)频段的调谐。此LNA允许在两级放大器之间放置一个滤波器,以实现高衰减而不降低噪声性能。NJG1187KG1高增益低噪声放大器在-40°C至105°C的宽温度范围内工作,在每个端口上均集成有ESD保护器件,以实现出色的ESD稳健性。其典型应用包括GNSS接收应用、有源天线、仪表板摄像头、导航和GNSS模块。

客户还购买了

图像 制造商零件编号 描述 库存 STMicroelectronics STM32H503CBT6海思半导体Hisilicon海思芯片 128 Kbytes of Flash, 32 Kbytes of RAM, I3C

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