欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:海思半导体Hisilicon海思芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > Infineon

Infineon 相关话题

TOPIC

Infineon英飞凌FS950R08A6P2BBPSA1模块IGBT MODULE 750V 950A参数及方案应用详解 随着科技的不断进步,电子设备对功率器件的要求也越来越高。作为一款高性能的IGBT MODULE,Infineon英飞凌的FS950R08A6P2BBPSA1模块在许多领域得到了广泛应用。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用,帮助读者更好地了解其性能特点和使用方法。 一、参数介绍 1. 型号与规格:FS950R08A6P2BBPSA1是一款750V、950A的IGBT MO
标题:Infineon(IR) IRGP4750D-EPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的地位日益凸显。在这个领域,Infineon(IR)的IRGP4750D-EPBF功率半导体IGBT以其独特的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术,为各种应用提供了高效、可靠的解决方案。 IRGP4750D-EPBF是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其工作原理基于电流
随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FF1400R12IP4PBOSA1模块,是一款具有极高电压和大电流能力的IGBT MODULE。该模块具有优秀的电气性能和可靠的工作模式,广泛应用于各种高电压,大电流的电源和电机驱动系统中。 首先,我们来了解一下英飞凌的FF1400R12IP4PBOSA1模块的基本参数。这款模块的工作电压范围为1200V,工作电流可达1400A。其开关频率可高达50kHz,具有优异的电气性能和较低的功耗。
标题:Infineon(IR) IRGP4640D-EPBF功率半导体IRGP4640:DISCRETE IGBT WITH AN的技术和方案应用介绍 随着科技的不断进步,功率半导体在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司的IRGP4640D-EPBF功率半导体器件,以其独特的DISCRETE IGBT WITH AN技术,在提高性能的同时,也降低了系统成本和复杂性。 IRGP4640D-EPBF是一款高性能的IGBT模块,它采用先进的DISCRETE IGBT WITH AN